| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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SI2315BDS-T1-E3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | Vishay Siliconix | 30168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI2315BDS-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：12V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 3.85A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：715pF @ 6V 功率 - 最大值：750mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 摇臂CWSB21AA2H 配件A22N-PR118 扁平带303-28-09-MC-0300F 单二极管/整流器SK16-13-F 谐振器AWSZT-40.00CW-T Card EdgeAMM24DSEI-S243 接线座 - 配件 FTD76-10-D Card EdgeASM25DTMT-S189 逻辑 - 栅极和逆MM74C240N 键锁式KO130OA126 |
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